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Board-AnsichtLTspice: Power-MOSFET im 3. Quadranten simulieren? (Bauelemente)
verfasst von der olle Michi
, im Norden, 20.03.2019, 15:48 Uhr
» » » » In welchem Quadranten liegen wir denn dann, wenn die U-DS negativ
» ist?
» » »
» » » Im 4.
» »
» » DAS nehme ich dir nicht ab. Ich sprach von U-DS = NEGATIV. Rechts von
» der
» » Abzisse (y-Achse) ist U-DS positiv 
und der 1. Q. liegt oberhalb der
» » Ordinate (x-Achse). Links von der y-Achse ist U-DS negativ und der FET
» » leitet bei gleicher (oder sogar weniger) U-GS im 3. Quadranten.
»
» Im 3.Q ist Ugs negativ, also sperrt der Kanal.
siehe mein Link: https://link.springer.com/content/pdf/bbm%3A978-1-4419-7560-7%2F1.pdf Figur a.1 .... U-GS ist nicht unbedingt negativ, sondern von positiv bis negativ. Die negativen U-GS helfen natürlich nicht weiter, die Diode leitet dann eh' schon. U-DS ist natürlich negativ....
»
»
» » Üblicherweise zählen die Q. gegen den Uhrzeigersinn und dann ist
» unterhalb
» » des 1. der 4. Q.
» » Ich bin sehr sicher, dass in dem 4. nichts passiert, jedenfalls nicht
» das,
» » was für mich relevant ist.
»
» Im 4.Q ist Ugs positiv, also leitet der Kanal, zumindest oberhalb von Uth.
Das hängt davon ab, ob man dort als veränderlichen Parameter positive oder auch negative U-GS einträgt.
--
Grüße
Michael
Gesamter Thread:
, 19.03.2019, 22:41, 19.03.2019, 22:48, 19.03.2019, 23:14, 19.03.2019, 23:23, 20.03.2019, 10:56, 20.03.2019, 11:36, 20.03.2019, 14:57, 20.03.2019, 15:03, 20.03.2019, 15:48, 20.03.2019, 15:51, 20.03.2019, 16:46, 20.03.2019, 17:08, 20.03.2019, 20:33, 20.03.2019, 20:34