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Board-AnsichtVerständnisproblem beim Erklärungsmodell des NMOS-FET (Bauelemente)
» zu 1. Zwischen Drain und Source ist keine leitende
» Verbindung.(selbstsperrend)
» Hier müssen Ladungsträger heran gezogen werden, Das geschieht durch eine
» positive Spannung am Gate.
» Das positiv geladene Gate zieht negative Ladungen in den Bereich zwischen
» Drain und Source.
» Damit entsteht eine leitende Zone. Es kann ein Strom fließen, ja nach
» Gatespannung.
Vielen Dank,
sorry, ich bezog mich auf den selbstsperrenden NMOS-FET.
Wenn jetzt das Gate positiver ist in Bezug auf Source und Bulk, dann entstehen doch erst einmal negativ ionisierte Akzeptorrümpfe an der p-Halbleiter-Oberfläche. Bedeutet also, dass sich eine nicht zum Stromfluss beitragende negative Ladung gebildet hat. Wie können jetzt die für einen Stromfluss zwischen Drain und Source notwendigen freien Elektronen an die Halbleiter-Oberfläche gezogen werden, da doch dort schon eine negative Ladung (ionisierte Akzeptoren) vorliegt? Die Elektronen müssten doch von diesen negtiv geladenen Akzeptoren abgestoßen werden.
Gruß
E-Student
Gesamter Thread:
, 21.10.2017, 20:00, 21.10.2017, 20:18, 21.10.2017, 20:30, 21.10.2017, 20:37