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Verständnisproblem beim Erklärungsmodell des NMOS-FET (Bauelemente)

verfasst von Cosinus, 21.10.2017, 16:04 Uhr

» Hallo liebe Forenmitglieder!
»
» Ich habe, wie der Titel schon sagt, ein kleines Verständnisproblem mit dem
» Erklärungsmodell des NMOS-Feldeffekt-Transistors. Die gesamte Funktion ist
» mir im Groben soweit bekannt.
» Das Erklärungsmodell sagt nun, dass eine positive Gate-Source-Spannung
» (Source und Bulk sind galvanisch miteinander verbunden und bilden das
» Bezugspotential bzw. die Masse) die Defektelektronen (Löcher) von der
» Oberfläche des p-dotierten Substrates elektrisch abstößt und
» dementsprechend die Elektronen anzieht.
» Wenn nun viele Löcher abgewandert sind, liegen an der Halbleiteroberfläche,
» das ist unter dem Oxid, negativ inonisierte Akzeptoren. Die
» Halbleiter-Oberfläche unter dem Substrat ist nun negativ geladen. Inversion
» und damit Kanalbildung entsteht nun, wenn die Gate-Source-Spannung weiter
» erhöht wird. Das Erklärungsmodell sagt, dass nun freie Elektronen an die
» Halbleiter-Oberfläche gezogen werden und den leitfähigen Kanal bilden.
»
» Meine Frage nun:
» Der leitfähige Kanal aus freien Elektronen liegt nun ebenfalls an der
» Halbleiter-Oberfläche. Aber wieso werden die Elektronen nicht von den
» ebenfalls negativ ionisierten Akzeptorrümpfen abgestoßen? Man hat also
» feste negative Ladung (ionisierte Akzeptorrümpfe), die nicht zum Stromfluss
» beitragen können und freie negative Ladungen. Das müsste sich doch abstoßen
» und folglich eine schlechte Kanalbildung verursachen?
»
»
» Gruß und Dank
» E-Student

Wer hat das so erklärt ?
Das würde ich auch nicht verstehen !

Vielleicht bringt diese Seite das Verständnis ?
http://elektronik-kurs.net/elektronik/mosfet-mos-feldeffekttransistor/



Gesamter Thread:

Verständnisproblem beim Erklärungsmodell des NMOS-FET - E-Student, 21.10.2017, 14:25 (Bauelemente)
Verständnisproblem beim Erklärungsmodell des NMOS-FET - Cosinus, 21.10.2017, 16:04