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Board-AnsichtVerständnisproblem beim Erklärungsmodell des NMOS-FET (Bauelemente)
Hallo liebe Forenmitglieder!
Ich habe, wie der Titel schon sagt, ein kleines Verständnisproblem mit dem Erklärungsmodell des NMOS-Feldeffekt-Transistors. Die gesamte Funktion ist mir im Groben soweit bekannt.
Das Erklärungsmodell sagt nun, dass eine positive Gate-Source-Spannung (Source und Bulk sind galvanisch miteinander verbunden und bilden das Bezugspotential bzw. die Masse) die Defektelektronen (Löcher) von der Oberfläche des p-dotierten Substrates elektrisch abstößt und dementsprechend die Elektronen anzieht.
Wenn nun viele Löcher abgewandert sind, liegen an der Halbleiteroberfläche, das ist unter dem Oxid, negativ inonisierte Akzeptoren. Die Halbleiter-Oberfläche unter dem Substrat ist nun negativ geladen. Inversion und damit Kanalbildung entsteht nun, wenn die Gate-Source-Spannung weiter erhöht wird. Das Erklärungsmodell sagt, dass nun freie Elektronen an die Halbleiter-Oberfläche gezogen werden und den leitfähigen Kanal bilden.
Meine Frage nun:
Der leitfähige Kanal aus freien Elektronen liegt nun ebenfalls an der Halbleiter-Oberfläche. Aber wieso werden die Elektronen nicht von den ebenfalls negativ ionisierten Akzeptorrümpfen abgestoßen? Man hat also feste negative Ladung (ionisierte Akzeptorrümpfe), die nicht zum Stromfluss beitragen können und freie negative Ladungen. Das müsste sich doch abstoßen und folglich eine schlechte Kanalbildung verursachen?
Gruß und Dank
E-Student
Gesamter Thread:
, 21.10.2017, 20:00, 21.10.2017, 20:18, 21.10.2017, 20:30, 21.10.2017, 20:37