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Frage zu MOSFET Kennlinie (Bauelemente)

verfasst von Joe Cool, 14.03.2017, 01:53 Uhr

» Grundsätzlich ja. Aber Du willst schalten, also "on" entsprich P= I² x Rds
» on, da mußt Du Uds also über Rds und den Strom bestimmen. "off" entspräche
» dann P=UxI mit U=5V aber I ist der Leckstrom, also eher zu vernachlässigen.
» Allerdings mußt Du ausreichend schnell schalten, da natürlich während des
» Schaltens Verluste auftreten, die relevant sein können. Dafür muß eine
» ausreichende Ansteuerung gegeben sein, also Gate-Spannung hoch genug und
» ausreichend Treiberleistung wegen der oft sehr großen Gate-Kapaziät.

» ja, siehe Logic-Leve (LL) MOSFETS, die wären besser geeignet.

Vielen Dank für den Hinweis, ich habe mir nun einen IRL3803 ausgeguckt, der schaltet schon bei Vgs 4V rund 100A im Dauerstrombetrieb mit Rds 9mΩ. Wenn ich den so unter Volllast fahren würde, würde der FET bei "on" also P = 100² x 0,009 = 90 W verbraten?

Wäre es eigentlich eine sinnvolle Idee, zur besseren Stromverteilung und Wärmeableitung mehrere kleine FETs parallel zu schalten statt eines dicken FETs?

Thanx,
Chris

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