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nochmal Mosfet Ansteuerung.... (Elektronik)

verfasst von BataillonDAmour , 21.06.2016, 22:00 Uhr

Hallo,

der Schnell-Und-Einfach-Bastler löst dieses Problem klassisch entweder

ohne galvanische Trennung bis 15V Versorgungsspannung mit
- p-Kanal MOSFET in der high side
- invertierender low side Treiber IC (z.B. IXYS IXDI609PI)

- n-Kanal MOSFET in der low side (z.B. IRF540NPBF)
- nichtinvertierender low side Treiber IC (z.B. IXYS IXDD609PI)

mit galvanischer Trennung
- n-Kanal MOSFET (z.B. IRF540NPBF)
- isolierter Gatetreiber (z.B. HCPL-J314)
- isolierter DC/DC-Wandler (z.B. TRACO TMA 0515S).

Der sparsame Bastler mit
- N-Kanal MOSFET
- Level-Shifter statt Optokoppler
- Boot-Strap-Schaltung statt DC/DC-Wandler
- nichtinvertierender low side Treiber IC
- das ganze möglich auch als IC (z.B. UCC27201)

Überstrom und Übertemperatur geht dann nur diskret über Stromerfassung (Shunt, Kompensationswandler etc.) bzw. Temperaturmessung (Thermoelement) und dann entsprechende Auswertung.

Alles zusammen integriert nennt sich dann IPM (intelligent power module). Gibt es aber nicht als Einzelschalter, da sinnlos. Für größere Leistungen (kW, MW) maximal als Doppelschalter/Brückenzweig, für die kleinen Leistungen nur als Sixpack, vielleicht auch H-Brücke. Da kann man die Brückenzweige aber entsprechend parallel schalten. Dann sind die low-side-Schalter zwar überflüssig aber man kann immerhin die niederinduktiv angebundene Freilaufdiode nutzen. Beispiel wäre IRAM136-3023B.

Die genannten Smart Switches von IFX sind nach wie vor viel zu langsam für das Schalten im kHz-Bereich. Die sind ausgelegt, um mechanische Relais zu ersetzen.
- t_on und t_off im Bereich x00us.
- dv/dt im Bereich x V/us
Wenn man die tatsächlich bei Tastverhältnis um 0.5 mit Mühe an die Taktgrenze zwingt, werden die Schaltverluste enorm sein.

Grüße.