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Schalten mit Mosfet - Lowseitig: eine Vielleicht-Alternative (Elektronik)
» » » R4 bis R6 benötigt es nur, damit die Gates sicher auf GND-Potenzial
» » » gesetzt sind, falls die Steuereingänge offen sind.
» »
» » Falls aber im laufenden Betrieb geschaltet werden soll, sind 100k u.U.
» viel
» » zu viel. Das Gate wird dann zu langsam entladen und der Millereffekt
» trägt
» » seinen Teil bei, man gerät ruckzuck ausserhalb der SOA.
»
» Da hast Du recht, wenn es wie beim Schalter so ist, wie im Schema gezeigt
» wird, dass der Eingang zum Gate unterbrochen wird. Im Falle eines
» *elektronischen* Umschaltens von HIGH nach LOW passiert das nicht.
»
» Eigentlich wäre es bei dieser Anwendung - worstcase betrachtend - besser
» zwischen Schalter und MOSFET-Gate ein Treiber zu schalten. Das könnte man
» mit einem 6fach-CMOS-Inverter des Typs CD4069UB realisieren. Zwischen jedem
» Schalter-Ausgang und MOSFET-Gate zwei dieser Inverter in Serie. R4 bis R6
» weg von den MOSFETs und hin zu den CMOS-Eingängen.
»
» Mit der Z-Diode muss man den CD4069UB speisen. Mit 15 VDC ist man
» allerdings am oberen Limit, wenn auch noch erlaubt. Besser und genügend
» wäre eine 12V-Z-Diode, wenn da die Shuntwiderstände nicht wären...
»
» Auf dessen Spannungen kommt es sehr an, ob man denn nicht noch die
» Schaltung genauer überdenken müsste...
»
» Parallel zu C1, jedoch nahe beim CD4069UB ein Kerko, mit 100 nF.
So hatte ich das auch mal gebaut aber auf BCD-Basis
als treiber war ein OP mit komplementärendstufe eingefügt
1 2 4 8 , damit hat man schon 15 verschiedene Widerstandswerte, kann man ja beliebig erweitern.
Prinzip
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