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Halbleiter(Diode, Transistor) (Bauelemente)

verfasst von Kaspersky, 17.04.2014, 08:55 Uhr

Danke dir! Ich verstehs nun! Ein paar kleine Fragen gibt es jedoch noch.

» Silizium hat ja 4 Außenelektrone und Arsen 5, wie schon gesagt. Was
» » geschieht denn hier genau beim zusammenfügen von Silizum und einem
» » 5wertigen Arsenatom? Ist das nur ein Atom, oder mehrere?
»
» Es wandern die Elektronen (freie Ladungsträger) nahe des Grenzbereichs von
» der n-leitenden Schicht in die p-leitende Schicht.
Ja, dass passiert erst, wenn man p-leitendes und n-leitendes Material zusammenfügt, right?

Aber ich habe folgendes gelesen:
Man hat einen Siliziumbaustein und der besteht aus vielen Atomen. Ein Atom hat hier 4 Außenelektronen.
Um jetzt ein n-leitendes Material zu machen, braucht man Arsen(5wertiges Atom, d.h. es hat 5 Außenelektronen). Man tut das Arsen in das Silizum rein, aber was passiert dann und wie viele Arsenatome sind dazu notwendig? Außerdem warum kann man es esrst dann n-leitend nennen. Silizium hat doch schon Elektronen drinnen, ist das nicht schon n-leitend?

Bei Erzeugung des p-leitenden Material fügt man Aluminium hinzu(was 3wertig ist, d.h. es hat 3 Außenelektrone). Naja hier gelten dieselben Fragen wie oben.
Und anscheinend enstehen hier löch, weil 3 Außenelektronen vom Aluminium genge 4 Außenelektronen vom Silizium, aber was passiert da genau?

»
» » Wir haben nun eine Diode. Nur durch Einwirkung von z.b. Wärmung wandern
» die
» » Elektronen(die naher der Sperrschicht sind) über die Sperrschicht zur
» » p-Zone und die Löcher in die n-Zone. Dieses Wander nennt man
» » "Ladungsträgerdiffusion".
»
» Die Elektronen wandern über den Grenzbereich, diffundieren und erst dann
» entsteht die Sperrschicht.

Ich dachte "diffundieren" bedeutet "wandern"? Also die Sperrsicht entsteht, wenn Elektronen nahe des Grenzbereiches in die p-zone wandern und somit entstehen auch Löcher in der n-Zone nahe des Grenzbereiches --> Ionengitter bzw. kleine Sperrschicht ist entstanden.
Hat diese Sperrschicht eine Einheit oder so, mit der man sagen kann wie breit diese ist?



» » "In dieser Schicht herrscht ein starkes elektrisches Feld, das weitere
» » Elektronenwanderungen verhindert. Die Ladungsträgerdiffusion ist dann
» » beendet, wenn das elektrische Feld groß genug ist, um der Kraftwirkung
» der
» » Wärmeschwingungen entgegen zu wirken."
» » Wenn die RLZ 0,7V hat? (nur durch Wärmebewegung)
»
» Nein, das hat nichts mit den 0,7 V zu tun. Es geht um die Kraftwirkung der
» Wärmeschwingungen.

Aber da steht doch "wenn das elektrische Feld groß genug ist". Je größer das Feld, desto mehr Spannung oder?

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Halbleiter(Diode, Transistor) - Kaspersky, 15.04.2014, 16:51 (Bauelemente)

Halbleiter(Diode, Transistor) - xy, 15.04.2014, 17:14

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Halbleiter(Diode, Transistor) - Kaspersky, 16.04.2014, 21:22

Halbleiter(Diode, Transistor) - Offroad GTI, 16.04.2014, 21:33

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