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Sel(R)

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Radebeul,
10.10.2021,
21:57
 

Transistor 2SC5022 überrascht mich (Bauelemente)

Habe einen meiner beiden Transistoren in meine Schaltung geklemmt. Vorerst als Parallelregler zum stabilisieren von 1 kVolt. Funzt super.

Jedoch gefiel dem Treibertransistor für den 2SC... sein Basiswiderstand nicht und die beiden trennten sich blitzartig (im wahrsten Sinne des Wortes). Der Transistor im Parallelzweig machte Pause (sperrte) und die Ausgangsspannung schnellte, weil von der Last befreit, lustig in unerwartete Höhen. An der CE-Strecke vom 2SC... lagen satte 2160 Volt. Ich war nicht im Zimmer, kam erst 20min nach dem "Unfall" zu der Schaltung. Eben wie es bei einem Probelauf so ist.

Ich schaltete alles ab, brückte die Hochspannung und baute den 2SC... aus. Eine Prüfung bestätigte die Unversehrtheit des Transistors.

Wie kann das sein? Dem Datenblatt nach ist das absolute Maximum 1500 Volt über der CE-Strecke. Mit so viel Sicherheit baut doch kein Hersteller!

LG Sel

Anhang...
Habe den Widerstand richtig dimensioniert und den Treiber ersetzt. Falls jetzt nochmal sowas passieren sollte, dann sorgt ein Varistor für den notwendigen Kurzschluß und eine Schmelzsicherung am Eingang vom Transverter macht das Licht aus.

Itzlbritzl(R)

10.10.2021,
23:06

@ Sel

Transistor 2SC5022 überrascht mich

» Wie kann das sein? Dem Datenblatt nach ist das absolute Maximum 1500 Volt
» über der CE-Strecke. Mit so viel Sicherheit baut doch kein Hersteller!

1500 V sind das garantierte Maximum. So genau sind die Prozesse nicht kontrollierbar, 100% Abweichung nach oben sind nicht überraschend

GST

11.10.2021,
19:19

@ Sel

Transistor 2SC5022 überrascht mich

» Habe einen meiner beiden Transistoren in meine Schaltung geklemmt. Vorerst
» als Parallelregler zum stabilisieren von 1 kVolt. Funzt super.
»
» Jedoch gefiel dem Treibertransistor für den 2SC... sein Basiswiderstand
» nicht und die beiden trennten sich blitzartig (im wahrsten Sinne des
» Wortes). Der Transistor im Parallelzweig machte Pause (sperrte) und die
» Ausgangsspannung schnellte, weil von der Last befreit, lustig in
» unerwartete Höhen. An der CE-Strecke vom 2SC... lagen satte 2160 Volt. Ich
» war nicht im Zimmer, kam erst 20min nach dem "Unfall" zu der Schaltung.
» Eben wie es bei einem Probelauf so ist.
»
» Ich schaltete alles ab, brückte die Hochspannung und baute den 2SC... aus.
» Eine Prüfung bestätigte die Unversehrtheit des Transistors.
»
» Wie kann das sein? Dem Datenblatt nach ist das absolute Maximum 1500 Volt
» über der CE-Strecke. Mit so viel Sicherheit baut doch kein Hersteller!
»
» LG Sel
»
» Anhang...
» Habe den Widerstand richtig dimensioniert und den Treiber ersetzt. Falls
» jetzt nochmal sowas passieren sollte, dann sorgt ein Varistor für den
» notwendigen Kurzschluß und eine Schmelzsicherung am Eingang vom Transverter
» macht das Licht aus.


Solange die max. Verlustleistung nicht überschritten wird, passiert dem Halbleiter nichts.

Itzlbritzl(R)

11.10.2021,
19:22
(editiert von Itzlbritzl
am 11.10.2021 um 19:24)


@ GST

Transistor 2SC5022 überrascht mich

» » Habe einen meiner beiden Transistoren in meine Schaltung geklemmt.
» Vorerst
» » als Parallelregler zum stabilisieren von 1 kVolt. Funzt super.
» »
» » Jedoch gefiel dem Treibertransistor für den 2SC... sein Basiswiderstand
» » nicht und die beiden trennten sich blitzartig (im wahrsten Sinne des
» » Wortes). Der Transistor im Parallelzweig machte Pause (sperrte) und die
» » Ausgangsspannung schnellte, weil von der Last befreit, lustig in
» » unerwartete Höhen. An der CE-Strecke vom 2SC... lagen satte 2160 Volt.
» Ich
» » war nicht im Zimmer, kam erst 20min nach dem "Unfall" zu der Schaltung.
» » Eben wie es bei einem Probelauf so ist.
» »
» » Ich schaltete alles ab, brückte die Hochspannung und baute den 2SC...
» aus.
» » Eine Prüfung bestätigte die Unversehrtheit des Transistors.
» »
» » Wie kann das sein? Dem Datenblatt nach ist das absolute Maximum 1500
» Volt
» » über der CE-Strecke. Mit so viel Sicherheit baut doch kein Hersteller!
» »
» » LG Sel
» »
» » Anhang...
» » Habe den Widerstand richtig dimensioniert und den Treiber ersetzt. Falls
» » jetzt nochmal sowas passieren sollte, dann sorgt ein Varistor für den
» » notwendigen Kurzschluß und eine Schmelzsicherung am Eingang vom
» Transverter
» » macht das Licht aus.
»
»
» Solange die max. Verlustleistung nicht überschritten wird, passiert dem
» Halbleiter nichts.

Doch, durchschlagen aufgrund der Spannung kann er. Dann reicht auch relativ kleine Leistung/Energie weil der Durchschlag punktuell erfolgt - siehe ESD.

GST

11.10.2021,
19:42

@ Itzlbritzl

Transistor 2SC5022 überrascht mich

» » » Habe einen meiner beiden Transistoren in meine Schaltung geklemmt.
» » Vorerst
» » » als Parallelregler zum stabilisieren von 1 kVolt. Funzt super.
» » »
» » » Jedoch gefiel dem Treibertransistor für den 2SC... sein
» Basiswiderstand
» » » nicht und die beiden trennten sich blitzartig (im wahrsten Sinne des
» » » Wortes). Der Transistor im Parallelzweig machte Pause (sperrte) und
» die
» » » Ausgangsspannung schnellte, weil von der Last befreit, lustig in
» » » unerwartete Höhen. An der CE-Strecke vom 2SC... lagen satte 2160 Volt.
» » Ich
» » » war nicht im Zimmer, kam erst 20min nach dem "Unfall" zu der
» Schaltung.
» » » Eben wie es bei einem Probelauf so ist.
» » »
» » » Ich schaltete alles ab, brückte die Hochspannung und baute den 2SC...
» » aus.
» » » Eine Prüfung bestätigte die Unversehrtheit des Transistors.
» » »
» » » Wie kann das sein? Dem Datenblatt nach ist das absolute Maximum 1500
» » Volt
» » » über der CE-Strecke. Mit so viel Sicherheit baut doch kein Hersteller!
» » »
» » » LG Sel
» » »
» » » Anhang...
» » » Habe den Widerstand richtig dimensioniert und den Treiber ersetzt.
» Falls
» » » jetzt nochmal sowas passieren sollte, dann sorgt ein Varistor für den
» » » notwendigen Kurzschluß und eine Schmelzsicherung am Eingang vom
» » Transverter
» » » macht das Licht aus.
» »
» »
» » Solange die max. Verlustleistung nicht überschritten wird, passiert dem
» » Halbleiter nichts.
»
» Doch, durchschlagen aufgrund der Spannung kann er. Dann reicht auch relativ
» kleine Leistung/Energie weil der Durchschlag punktuell erfolgt - siehe ESD.

ESD ist bei Bipolatransistoren nicht so das Problem, da keine hochisolierenden Schichten vorleigen

mnemonic(R)

11.10.2021,
19:51

@ Sel

1500 V sind mindestens garantiert

Höhere Spannungen sind durchaus normal.

--
"Immer genügend Widerstand mitbringen"

Itzlbritzl(R)

11.10.2021,
19:57

@ GST

Transistor 2SC5022 überrascht mich

» » » » Habe einen meiner beiden Transistoren in meine Schaltung geklemmt.
» » » Vorerst
» » » » als Parallelregler zum stabilisieren von 1 kVolt. Funzt super.
» » » »
» » » » Jedoch gefiel dem Treibertransistor für den 2SC... sein
» » Basiswiderstand
» » » » nicht und die beiden trennten sich blitzartig (im wahrsten Sinne des
» » » » Wortes). Der Transistor im Parallelzweig machte Pause (sperrte) und
» » die
» » » » Ausgangsspannung schnellte, weil von der Last befreit, lustig in
» » » » unerwartete Höhen. An der CE-Strecke vom 2SC... lagen satte 2160
» Volt.
» » » Ich
» » » » war nicht im Zimmer, kam erst 20min nach dem "Unfall" zu der
» » Schaltung.
» » » » Eben wie es bei einem Probelauf so ist.
» » » »
» » » » Ich schaltete alles ab, brückte die Hochspannung und baute den
» 2SC...
» » » aus.
» » » » Eine Prüfung bestätigte die Unversehrtheit des Transistors.
» » » »
» » » » Wie kann das sein? Dem Datenblatt nach ist das absolute Maximum 1500
» » » Volt
» » » » über der CE-Strecke. Mit so viel Sicherheit baut doch kein
» Hersteller!
» » » »
» » » » LG Sel
» » » »
» » » » Anhang...
» » » » Habe den Widerstand richtig dimensioniert und den Treiber ersetzt.
» » Falls
» » » » jetzt nochmal sowas passieren sollte, dann sorgt ein Varistor für
» den
» » » » notwendigen Kurzschluß und eine Schmelzsicherung am Eingang vom
» » » Transverter
» » » » macht das Licht aus.
» » »
» » »
» » » Solange die max. Verlustleistung nicht überschritten wird, passiert
» dem
» » » Halbleiter nichts.
» »
» » Doch, durchschlagen aufgrund der Spannung kann er. Dann reicht auch
» relativ
» » kleine Leistung/Energie weil der Durchschlag punktuell erfolgt - siehe
» ESD.
»
» ESD ist bei Bipolatransistoren nicht so das Problem, da keine
» hochisolierenden Schichten vorleigen

ESD war ein Beispiel, es ist aber nicht nur die Verlustleistung nach Datenblatt ausschlaggebend sondern die Stromdichte an einer Stelle. Das tötet das Bauteil. Durchschläge sind punktuell, ausgelöst durch die Spannung.

GST

11.10.2021,
20:26

@ Itzlbritzl

Transistor 2SC5022 überrascht mich

» » » Doch, durchschlagen aufgrund der Spannung kann er. Dann reicht auch
» » relativ
» » » kleine Leistung/Energie weil der Durchschlag punktuell erfolgt - siehe
» » ESD.
» »
» » ESD ist bei Bipolatransistoren nicht so das Problem, da keine
» » hochisolierenden Schichten vorleigen
»
» ESD war ein Beispiel, es ist aber nicht nur die Verlustleistung nach
» Datenblatt ausschlaggebend sondern die Stromdichte an einer Stelle. Das
» tötet das Bauteil. Durchschläge sind punktuell, ausgelöst durch die
» Spannung.

Schau dir mal an wie eine Z-Diode funktioniert oder der Durchbruch einer B-E-Strecke.

Itzlbritzl(R)

11.10.2021,
20:42

@ GST

Transistor 2SC5022 überrascht mich

» » » » Doch, durchschlagen aufgrund der Spannung kann er. Dann reicht auch
» » » relativ
» » » » kleine Leistung/Energie weil der Durchschlag punktuell erfolgt -
» siehe
» » » ESD.
» » »
» » » ESD ist bei Bipolatransistoren nicht so das Problem, da keine
» » » hochisolierenden Schichten vorleigen
» »
» » ESD war ein Beispiel, es ist aber nicht nur die Verlustleistung nach
» » Datenblatt ausschlaggebend sondern die Stromdichte an einer Stelle. Das
» » tötet das Bauteil. Durchschläge sind punktuell, ausgelöst durch die
» » Spannung.
»
» Schau dir mal an wie eine Z-Diode funktioniert oder der Durchbruch einer
» B-E-Strecke.

Also einen zener Durchbruch (komplett anderer Effekt) oder eine BE Strecke mit einer gesperrten Kollektor Emitter Strecke zu vergleichen ist schon ein ziemlich schmales Brett...

Zumal BE Strecken selten durchbrechen, das muss man schon thermisch ziemlich übertreiben, weil: leitende Richtung. Da sperrt nix. Also ganz anderer Effekt.

Puste Mal mit 16kV auf eine Z Diode und schau's dir im REM an, da wirst du überrascht sein

GST

11.10.2021,
20:58

@ Itzlbritzl

Transistor 2SC5022 überrascht mich

» » » » » Doch, durchschlagen aufgrund der Spannung kann er. Dann reicht
» auch
» » » » relativ
» » » » » kleine Leistung/Energie weil der Durchschlag punktuell erfolgt -
» » siehe
» » » » ESD.
» » » »
» » » » ESD ist bei Bipolatransistoren nicht so das Problem, da keine
» » » » hochisolierenden Schichten vorleigen
» » »
» » » ESD war ein Beispiel, es ist aber nicht nur die Verlustleistung nach
» » » Datenblatt ausschlaggebend sondern die Stromdichte an einer Stelle.
» Das
» » » tötet das Bauteil. Durchschläge sind punktuell, ausgelöst durch die
» » » Spannung.
» »
» » Schau dir mal an wie eine Z-Diode funktioniert oder der Durchbruch einer
» » B-E-Strecke.
»
» Also einen zener Durchbruch (komplett anderer Effekt) oder eine BE Strecke
» mit einer gesperrten Kollektor Emitter Strecke zu vergleichen ist schon ein
» ziemlich schmales Brett...
»
» Zumal BE Strecken selten durchbrechen, das muss man schon thermisch
» ziemlich übertreiben, weil: leitende Richtung. Da sperrt nix. Also ganz
» anderer Effekt.
»
» Puste Mal mit 16kV auf eine Z Diode und schau's dir im REM an, da wirst du
» überrascht sein

Das stimmt alles so nicht.
Die Durchbruchspannung hängt vorwiegend von der Dotierung ab. Je weniger dotiert ist, desto höher ist die Durchbruchspannung. Übringens nimmt die Durchbruchspannung mit der Temperatur zu und nicht ab. Jedenfalls zerstört der Lawineneffekt, also der Durchbruch bei zu hoher Spannung, keinen Halbleiter solange der Strom niedrig ist.
Der bipolare Halbleiter bricht auch nicht abrupt durch sondern so wie bei einer Z-Diode.
Schau dir einfach mal den Lawineneffekt an, der ist nämlich für den Durchbruch verantwortlich.
B-E-Strecken werden auch als Z-Dioden verwendet. Nimm doch einen Transistor und probiere es aus. Dabei Widerstand nicht vergessen ;-)

Itzlbritzl(R)

11.10.2021,
21:11

@ GST

Transistor 2SC5022 überrascht mich

» » » » » » Doch, durchschlagen aufgrund der Spannung kann er. Dann reicht
» » auch
» » » » » relativ
» » » » » » kleine Leistung/Energie weil der Durchschlag punktuell erfolgt -
» » » siehe
» » » » » ESD.
» » » » »
» » » » » ESD ist bei Bipolatransistoren nicht so das Problem, da keine
» » » » » hochisolierenden Schichten vorleigen
» » » »
» » » » ESD war ein Beispiel, es ist aber nicht nur die Verlustleistung nach
» » » » Datenblatt ausschlaggebend sondern die Stromdichte an einer Stelle.
» » Das
» » » » tötet das Bauteil. Durchschläge sind punktuell, ausgelöst durch die
» » » » Spannung.
» » »
» » » Schau dir mal an wie eine Z-Diode funktioniert oder der Durchbruch
» einer
» » » B-E-Strecke.
» »
» » Also einen zener Durchbruch (komplett anderer Effekt) oder eine BE
» Strecke
» » mit einer gesperrten Kollektor Emitter Strecke zu vergleichen ist schon
» ein
» » ziemlich schmales Brett...
» »
» » Zumal BE Strecken selten durchbrechen, das muss man schon thermisch
» » ziemlich übertreiben, weil: leitende Richtung. Da sperrt nix. Also ganz
» » anderer Effekt.
» »
» » Puste Mal mit 16kV auf eine Z Diode und schau's dir im REM an, da wirst
» du
» » überrascht sein
»
» Das stimmt alles so nicht.
» Die Durchbruchspannung hängt vorwiegend von der Dotierung ab. Je weniger
» dotiert ist, desto höher ist die Durchbruchspannung. Übringens nimmt die
» Durchbruchspannung mit der Temperatur zu und nicht ab. Jedenfalls zerstört
» der Lawineneffekt, also der Durchbruch bei zu hoher Spannung, keinen
» Halbleiter solange der Strom niedrig ist.
» Der bipolare Halbleiter bricht auch nicht abrupt durch sondern so wie bei
» einer Z-Diode.
» Schau dir einfach mal den Lawineneffekt an, der ist nämlich für den
» Durchbruch verantwortlich.
» B-E-Strecken werden auch als Z-Dioden verwendet. Nimm doch einen Transistor
» und probiere es aus. Dabei Widerstand nicht vergessen ;-)

Ich glaube wir reden vom gleichen...vllt war meine Wortwahl nicht konsequent bezüglich Durchbruch und durchschlag.

Also:

Ich meinte zu Beginn Durchschlag: viel zu viel Spannung, durchschlagen, hohe punktuelle Stromdichte, Halbleiter kaputt, eventuell Kaskadeneffekt durch aufschmelzen, tot.

Durchbruch: so gewollt per Design oder parasitär, hier gilt natürlich die maximale Verlustleistung. Zenereffekt, Lawinen Durchbrüche und wie sie nicht alle heißen. Reversibel.

GST

11.10.2021,
21:20

@ Itzlbritzl

Transistor 2SC5022 überrascht mich

» » » » » » » Doch, durchschlagen aufgrund der Spannung kann er. Dann reicht
» » » auch
» » » » » » relativ
» » » » » » » kleine Leistung/Energie weil der Durchschlag punktuell erfolgt
» -
» » » » siehe
» » » » » » ESD.
» » » » » »
» » » » » » ESD ist bei Bipolatransistoren nicht so das Problem, da keine
» » » » » » hochisolierenden Schichten vorleigen
» » » » »
» » » » » ESD war ein Beispiel, es ist aber nicht nur die Verlustleistung
» nach
» » » » » Datenblatt ausschlaggebend sondern die Stromdichte an einer
» Stelle.
» » » Das
» » » » » tötet das Bauteil. Durchschläge sind punktuell, ausgelöst durch
» die
» » » » » Spannung.
» » » »
» » » » Schau dir mal an wie eine Z-Diode funktioniert oder der Durchbruch
» » einer
» » » » B-E-Strecke.
» » »
» » » Also einen zener Durchbruch (komplett anderer Effekt) oder eine BE
» » Strecke
» » » mit einer gesperrten Kollektor Emitter Strecke zu vergleichen ist
» schon
» » ein
» » » ziemlich schmales Brett...
» » »
» » » Zumal BE Strecken selten durchbrechen, das muss man schon thermisch
» » » ziemlich übertreiben, weil: leitende Richtung. Da sperrt nix. Also
» ganz
» » » anderer Effekt.
» » »
» » » Puste Mal mit 16kV auf eine Z Diode und schau's dir im REM an, da
» wirst
» » du
» » » überrascht sein
» »
» » Das stimmt alles so nicht.
» » Die Durchbruchspannung hängt vorwiegend von der Dotierung ab. Je weniger
» » dotiert ist, desto höher ist die Durchbruchspannung. Übringens nimmt die
» » Durchbruchspannung mit der Temperatur zu und nicht ab. Jedenfalls
» zerstört
» » der Lawineneffekt, also der Durchbruch bei zu hoher Spannung, keinen
» » Halbleiter solange der Strom niedrig ist.
» » Der bipolare Halbleiter bricht auch nicht abrupt durch sondern so wie
» bei
» » einer Z-Diode.
» » Schau dir einfach mal den Lawineneffekt an, der ist nämlich für den
» » Durchbruch verantwortlich.
» » B-E-Strecken werden auch als Z-Dioden verwendet. Nimm doch einen
» Transistor
» » und probiere es aus. Dabei Widerstand nicht vergessen ;-)
»
» Ich glaube wir reden vom gleichen...vllt war meine Wortwahl nicht
» konsequent bezüglich Durchbruch und durchschlag.
»
» Also:
»
» Ich meinte zu Beginn Durchschlag: viel zu viel Spannung, durchschlagen,
» hohe punktuelle Stromdichte, Halbleiter kaputt, eventuell Kaskadeneffekt
» durch aufschmelzen, tot.

Bei bipolaren Transistoren ist der Durchbruch durch den Lawineneffekt begründet. Selbst bei Spannungen unterhalb der Durchbruchspannung fliesst ein Sperrstrom. Dieser wird im Bereich der Durchbruchspannung lawinenartig höher.
Wenn du Transistoren mit Metalloxid oder anderen hochisolierenden Schichten meinst, dann kann es zu solchen Durchschlägen kommen aber dann ist auch die Isolierschicht zerstört. Diese gibt es bei bipolaren Transistoren aber nicht.

»
» Durchbruch: so gewollt per Design oder parasitär, hier gilt natürlich die
» maximale Verlustleistung. Zenereffekt, Lawinen Durchbrüche und wie sie
» nicht alle heißen. Reversibel.

Itzlbritzl(R)

11.10.2021,
21:45

@ GST

Transistor 2SC5022 überrascht mich

» » » » » » » » Doch, durchschlagen aufgrund der Spannung kann er. Dann
» reicht
» » » » auch
» » » » » » » relativ
» » » » » » » » kleine Leistung/Energie weil der Durchschlag punktuell
» erfolgt
» » -
» » » » » siehe
» » » » » » » ESD.
» » » » » » »
» » » » » » » ESD ist bei Bipolatransistoren nicht so das Problem, da keine
» » » » » » » hochisolierenden Schichten vorleigen
» » » » » »
» » » » » » ESD war ein Beispiel, es ist aber nicht nur die Verlustleistung
» » nach
» » » » » » Datenblatt ausschlaggebend sondern die Stromdichte an einer
» » Stelle.
» » » » Das
» » » » » » tötet das Bauteil. Durchschläge sind punktuell, ausgelöst durch
» » die
» » » » » » Spannung.
» » » » »
» » » » » Schau dir mal an wie eine Z-Diode funktioniert oder der Durchbruch
» » » einer
» » » » » B-E-Strecke.
» » » »
» » » » Also einen zener Durchbruch (komplett anderer Effekt) oder eine BE
» » » Strecke
» » » » mit einer gesperrten Kollektor Emitter Strecke zu vergleichen ist
» » schon
» » » ein
» » » » ziemlich schmales Brett...
» » » »
» » » » Zumal BE Strecken selten durchbrechen, das muss man schon thermisch
» » » » ziemlich übertreiben, weil: leitende Richtung. Da sperrt nix. Also
» » ganz
» » » » anderer Effekt.
» » » »
» » » » Puste Mal mit 16kV auf eine Z Diode und schau's dir im REM an, da
» » wirst
» » » du
» » » » überrascht sein
» » »
» » » Das stimmt alles so nicht.
» » » Die Durchbruchspannung hängt vorwiegend von der Dotierung ab. Je
» weniger
» » » dotiert ist, desto höher ist die Durchbruchspannung. Übringens nimmt
» die
» » » Durchbruchspannung mit der Temperatur zu und nicht ab. Jedenfalls
» » zerstört
» » » der Lawineneffekt, also der Durchbruch bei zu hoher Spannung, keinen
» » » Halbleiter solange der Strom niedrig ist.
» » » Der bipolare Halbleiter bricht auch nicht abrupt durch sondern so wie
» » bei
» » » einer Z-Diode.
» » » Schau dir einfach mal den Lawineneffekt an, der ist nämlich für den
» » » Durchbruch verantwortlich.
» » » B-E-Strecken werden auch als Z-Dioden verwendet. Nimm doch einen
» » Transistor
» » » und probiere es aus. Dabei Widerstand nicht vergessen ;-)
» »
» » Ich glaube wir reden vom gleichen...vllt war meine Wortwahl nicht
» » konsequent bezüglich Durchbruch und durchschlag.
» »
» » Also:
» »
» » Ich meinte zu Beginn Durchschlag: viel zu viel Spannung, durchschlagen,
» » hohe punktuelle Stromdichte, Halbleiter kaputt, eventuell Kaskadeneffekt
» » durch aufschmelzen, tot.
»
» Bei bipolaren Transistoren ist der Durchbruch durch den Lawineneffekt
» begründet. Selbst bei Spannungen unterhalb der Durchbruchspannung fliesst
» ein Sperrstrom. Dieser wird im Bereich der Durchbruchspannung lawinenartig
» höher.
» Wenn du Transistoren mit Metalloxid oder anderen hochisolierenden Schichten
» meinst, dann kann es zu solchen Durchschlägen kommen aber dann ist auch die
» Isolierschicht zerstört. Diese gibt es bei bipolaren Transistoren aber
» nicht.

Würde der Lawineneffekt in 0 Zeiteinheiten einsetzen, ja. Tut er aber nicht.

»
» »
» » Durchbruch: so gewollt per Design oder parasitär, hier gilt natürlich
» die
» » maximale Verlustleistung. Zenereffekt, Lawinen Durchbrüche und wie sie
» » nicht alle heißen. Reversibel.

Sel(R)

E-Mail

Radebeul,
12.10.2021,
19:29
(editiert von Sel
am 12.10.2021 um 19:36)


@ Itzlbritzl

Transistor 2SC5022 überrascht mich

Hab mal den ganzen oberen Kram gelöscht. Tut mir leid, aber ich hasse das ewige Mitschleppen von bereits Geschriebenem. Kann man doch nachlesen, wenn man seine Antwort schreibt. Aber nicht die alten Postings mitschleppen um 5 Zeilen (oder so) an Antwort dranzuhängen. Werde ich nie verstehen, diese Unart.
***
Damit mir der Transistor sicher nicht durchgeht bei einem Fehler in der Schaltung, bestellte ich mir nun den 2SC4913 mit einer Spannungsfestigkeit von mind. 2kV. Damit habe ich spannungmäßig Reserve, lediglich bei der Leistung muß ich aufpassen (der Transistor verträgt nur 20mA und 1,5W). Oder kennt jemand einen Transistor, welcher 2kV mit mind. 50mA und 10W aushält? Nur BJT, kein Mosfet!

LG Sel

Steffen

12.10.2021,
22:54

@ Sel

Transistor 2SC5022 überrascht mich

Was spricht gegen IGBT?

Gruß Steffen

GST

13.10.2021,
20:07

@ Sel

Transistor 2SC5022 überrascht mich

Nimm doch den 2SC und messe seine Spannungsfestigkeit. Sozusagen eine Selektion. Ich vermute die Hersteller machen das auch so.
Sobald der Sperrstrom ansteigt ansteigt bist du im Durchbruchbereich. Halte den Strom nur klein.
Der geht dir deswegen nicht kaputt.