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Servus Zusammen,

für meine simplen Anwendungen kenne ich die Verwendung von NPN-Transistoren eigentlich nur so: Vcc -> Last -> NPN-C - NPN-E -> GND
Jetzt habe ich die Woche etwas gebastelt und da wohl einen Knoten rein bekommen. Ich hab (vermutlich) E und C vom NPN-Transistor vertauscht. Der Transistor wird eigentlich nur als Schalter/Treiber für eine LED verwendet. Jetzt frage ich mich ob das überhaupt funktionieren kann oder ob ich da irgendwo anders (noch) einen Denkfehler habe.

Ich hab das mal skizziert wie der Transistor vermutlich eingelötet ist.


Und ja, die LED leuchtet wenn ich die Basis vom Transistor auf VCC setze und ist dunkel wenn ich die Basis auf GND lege. Wenn die Basis floated dann glimmt die LED allerdings.

https://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor#Inverser_Verst%C3%A4rkungsbereich

» https://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor#Inverser_Verst%C3%A4rkungsbereich
Ohh... Danke!

Wenn ich das richtig interpretiere hab ich da nur ein bisschen gemurkst und muss das nicht umlöten.

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» https://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor#Inverser_Verst%C3%A4rkungsbereich
» Ohh... Danke!
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» Wenn ich das richtig interpretiere hab ich da nur ein bisschen gemurkst und
» muss das nicht umlöten.

Beachten, dass die Basis-Emitter Diode eine wesentlich geringere Spannungsfestigkeit hat als die Basis-Kollektor Diode.

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» https://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor#Inverser_Verst%C3%A4rkungsbereich
» Ohh... Danke!
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» Wenn ich das richtig interpretiere hab ich da nur ein bisschen gemurkst und
» muss das nicht umlöten.

Außer, das du die Emitter Basisspannung nicht überschreiten sollst, Ist die Geschichte mit der geringen Durchlassspannung nur dann gegeben, wenn du den Basisstrom, wegen der geringen Verstärkung, drastisch erhöhst. Es bringt dir also gar nichts!
Und auf ein schnelles Schalten kommt bei dir ja nicht drauf an.

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» https://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor#Inverser_Verst%C3%A4rkungsbereich
» » Ohh... Danke!
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» » Wenn ich das richtig interpretiere hab ich da nur ein bisschen gemurkst
» und
» » muss das nicht umlöten.
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» Außer, das du die Emitter Basisspannung nicht überschreiten sollst, Ist die
» Geschichte mit der geringen Durchlassspannung nur dann gegeben, wenn du den
» Basisstrom, wegen der geringen Verstärkung, drastisch erhöhst. Es bringt
» dir also gar nichts!
» Und auf ein schnelles Schalten kommt bei dir ja nicht drauf an.

Wenn man einen besonders niedrigen Spannungungsabfall zwischen Kollektor und Emitter haben will, mag es, je nach Anwendung, Sinn machen, diese inverse Transistorfunktion einzusetzen mit entsprechender stromverstärkenden Vorstufe, wenn nötig. Als es noch keine niederohmige MOSFETs gab, z.B.

Wenn ich mich zurückerinnere in die 1960/70er-Jahre, gab es solche Anwendungen. An Details erinnere ich mich nicht mehr.


Mehr dazu im Kapitel "Exotische Schaltung für geringen Spannungsabfall" in:
. . . . "Schalten und Steuern mit Transistoren I"
. . . . . . http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/powsw1.htm

--
Gruss
Thomas

Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9

» Außer, das du die Emitter Basisspannung nicht überschreiten sollst, Ist die
» Geschichte mit der geringen Durchlassspannung nur dann gegeben, wenn du den
» Basisstrom, wegen der geringen Verstärkung, drastisch erhöhst. Es bringt
» dir also gar nichts!
Hmmm... hab da noch etwas nachgelesen. Ist in dem Fall wohl doch Murks. Naja hübsch ist die Platine eh nicht, dann kann ich die Transistoren auch mit etwas Cu-Lackdraht richtig rum anschließen.

Danke für die Antworten!